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武汉凌飞创科技有限公司

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1.25G/2.5G DFB 芯片1310nm\1550nm
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产品: 浏览次数:2991.25G/2.5G DFB 芯片1310nm\1550nm 
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最后更新: 2017-11-13 19:02
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详细信息

“1.25G/2.5G DFB 芯片1310nm\1550nm”参数说明

是否有现货: 认证: ISO:9000/rosh
工作介质: 半导体激光器 激励方式: 光泵式激光器
运转方式: 单模和稳频激光器 波段范围: 可见激光器
配件类型: 激光晶体 用途: 通信
型号: 1.25g/2.5g dfb 芯片131 规格: 1.25g/2.5g dfb 1310
商标: 1.25g/2.5g dfb 1550 包装: 武汉凌飞创
1: 1

“1.25G/2.5G DFB 芯片1310nm\1550nm”详细介绍

基本介绍

DFB芯片


DFB芯片       DFB( Distributed Feedback Laser),即分布式反馈激光器,其不同之处是内置了布拉格光栅(Bragg Grating),属于侧面发射的半导体激光器。目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度),它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边模抑制比(SMSR),目前可高达40-50dB以上。

 制造工艺

Process(工艺流程)Back End(后续处理)
GaSb-processing(锑化镓材料生长)cleaving(切割)
coating / lift-off(镀膜/剥离)facet coating(端面镀膜)
optical lithography(光学光刻)characterization(参数塑造)
e-beam(电子束成象)mounting (TO-header)(安装)
vapor coating(气相涂盖)fiber coupling(光纤耦合)
etching(蚀刻)burn-In(预烧)
electroplating(电解沉积)......
quality control(质量控制)
技术参数
采购须知

询价单
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